N25W128A11E_25Q2813B40导读

这些全新的技术挑战需要存储器厂商更好的提升存储容量密度和读取速度。5G
时代高速传输速率的提升首当其冲的会对手机内存的读写速度提出更高的要求，同时因为射频模组尺寸的增大，留给内存空间的板级尺寸进一步被压缩，而高清视频和高速传输往往意味着高存储空间的占用，比如
4G 时代网速只能支持在线收看 720P 标清的电影，差不多 1.5G～6G 容量之间，但是到 5G 时代超清或者蓝光将成为可能，这时候应用空间需要达到
20-40G 左右。技术迭代的背后，是强大的工艺后盾。

现在已经出现了真正的多任务处理，例如在去年的“世界移动大会”上已经推出了可折叠屏的手机。另外，能同时使用更多的媒介，可以一边快速地下载高清视频，一边进行流媒体播放，实现
360° 的视觉体验。这么大的一个手机屏幕可以同时运行 2 个 App，而且可以在这 2 个 App
之间非常自由复制、粘贴，就像现在大家在台式电脑上的操作那样。

M25P64-VME6P

25LC320/SN M25P16VMF6 M25P64VMF6 RF2413TR13
MT28F200B1 24LC01B/SM ML4875ES-5 ML4871CS-3 M25P40VMN6 48LC16M8A2 BCM5411RQM
MT4C1M16E5 MT46V128M8 。

MNR02N331J MNR02N432J M65KD002AM 9193021125
MB8D132G-6 MT4C4256Z8 RC121520-1 DDP3310BE4 MT5C2568-1 3410014101 047415RJX3
SMD2596/ADJ TDA7492TR13 N25W064A11E 。

500GB型号的耐用性等级也与250GB型号相同，即150TB，这使其处于QLC领域（尽管仍比500GB
P1的100TBW等级更好）。500GB可能正在使用具有更高每个裸片容量的NAND部件，因此没有更大的并行性，或者它可能正在使用完全不同的控制器（或两者）。

Crucial P2是他们的第二个入门级NVMe
SSD，但它不能直接替代基于QLC的P1。P2至少最初仅在250GB和500GB的低容量中可用，并且通过将无DRAM控制器与TLC
NAND结合使用，而不是P1组合更便宜的QLC NAND与具有DRAM缓存的控制器，从而降低了成本。

MT8D132-7X

MT12D436G-XX MT12D436M-XX MT28C6428P20 MT46H16M32LF
MT49H16M16FM MT4LC4M4E8DJ MT4LC4M4E8TG MT4LC4M4E9TG MT4LDT464HXS MT54W4MH9B-5
MT54W4MH9B-6 MT58L256V32F MT58L256V32P MT58L256V36F MT58L512Y32D 。

N25W032A11E MT48V8M16LF MSP4440G_QA MT1257EJ-15
N25Q512A13G CT6464AC667 MT9D436G-5X MNS05N240JT MNS05N100JC MT5C2568-12
MT5C2561-25 MGS07N390JC SMS064FFF5E MT47H32M8BP MNR05N131JC MSP4450G-B8 。

MT4C4258Z-10 29F8G08ABABA MT4C1M16C36V MT4C1M16E5-5
MT8S1632Z-25 MT4C1024DJ-7 MT4LC8M8C2-5 MTFC4GMTEAWT MTFC4GLWAMWT MT54W4MH9B-4
M29F040B45K1 M29F040B70K1 M29F040B70K6 M29F040B90K1 M29F040B90K6 MT28C6428P18
CT12864AC667 。

MT18D836M-6 VPX3226F-A2 M25P16VMN6P MT63V3264Q6
MT63M256N15 MT5LC256815 SMC512BFI6E MT46H32M32L JS28F320J3F 303106002HH
91813-31121 SMC01GBFK6E MT8D132M-6X MT4D232DG-6 MT46H16M16L VSP9402A-UK 。

是目前市场上最快的高密度闪存芯片。
近日，Micron发布了在工业上最快速的64MB高性能闪存芯片MT28F644W18。这款芯片专门为移动应用而开发，支持1.8V核心输入输出电压。

随着业务量的扩大已与多家原厂供应商合作，XILINX、ALTERA、SAMSUNG、HYNIX、TI
、ADI、MAXIM、MICRON、INTEL、ST、NXP、DAVICOM、PLX、CYPRESS、MARVELL、AOS、ON、IR、FREESCALE、NS、AVAGO、TOSHIBA、DIODES
、RENESAS、 ATMEL等..专业致力于ARM、SDRAM、SRAM 、NAND、 FLASH、
DDR、FPGA、CPLD、MCU、DSP、MOS..。存储芯诚隶属于深圳市美光存储技术有限公司，创始人前身任职于美光原厂PM部门，自从美光原厂出来后，其专注于为存储芯片提供解决方案，在库存数量、产品型号，复产方案及服务类型等多个维度，Memory享有业界极高的美誉。